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DMS3600S的PowerTrench®功率级25 V非对称双N沟道MOSFET特点Q1 ： N沟道řDS （ ON）= 5.6毫欧，在VGS= 10 V，ID= 15 AřDS （ ON）= 8.1毫欧，在VGS= 4.5 V，ID= 14 AQ2 ： N沟道řDS （ ON）= 1.6毫欧，在VGS= 10 V，ID= 30 AřDS （ ON）= 2.4毫欧，在VGS= 4.5 V，ID= 25 A低电感封装缩短上升/下降时间，导致低开关损耗MOSFET集成使优化布局下的电路电感并减少开关节点振铃符合RoHS2011年8月概述该器件包括两个专门的N沟道MOSFET的双PQFN封装。交换节点已在内部连接，可方便地放置和同步路由降压转换器。该控制用MOSFET （Q1）和同步SyncFET （Q 2 ）的目的是为了提供的功率EF网络效率。应用计算通讯负载的通用点笔记本VCORE服务器销1G1D1D1D1D1相(S1/D2)G2S2S2顶部S2S2S25678Q24D13D12D1Q1相MOSFET符号VDSVGS电源56评级TA= 25 oC ，除非另有说明参数Q125（注3）TC= 25 °CTC= 25 °CTA= 25 °C±aS2底部G21G1漏源极电压栅极至源极电压漏电流- 连续（包装有限公司）- 连续（硅有限公司）-Continuous-Pulsed单脉冲雪崩能量功率消耗单操作功率消耗单操作工作和存储结温范围TA= 25 °CTA= 25 °CQ225±b.51b单位VVIDA40502.21.041a1cEASPDTJ, T英镑mJW°C1.01d-55到+150热特性RθJARθJARθJC热阻，结到环境热阻，结到环境热阻，结到外壳571a1251c3.5501b1201d2° C / W包装标志和订购信息器件标识22OAN9OC设备FDMS3600S包电源561带尺寸13 ”胶带宽度12 mmQUANTITY3000台