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硅VDMOS和LDMOS晶体管专宽带RF应用。适合Militry收音机，移动和寻呼放大器基地站，广播FM / AM ， MRI ，激光驱动器等。"Polyfet"TM工艺特点金色的金属，可极大地延长寿命。低输出电容和高氟t加强broadbad性能总设备耗散80瓦结到热病例阻力o1.95 C / W连接点温度o200 C直流漏当前额定值（TC= 25 C )存储温度oo-65 ℃〜150℃漏门电压70 V漏来源电压70 V大门来源电压30V4.0 A射频特性（符号定位系统参数共源功率增益漏EF网络效率负载不匹配公差民1360典型值30.0瓦的输出）单位dB%20:1相对的测试条件IDQ = 0.40 ， VDS =IDQ = 0.40 ， VDS =IDQ = 0.40 ， VDS =28.0V,28.0V,28.0V,F=F=F=150兆赫150兆赫150兆赫ηVSWR电气特性（每边）符号BVDSSIDSSIGSSVGSgMRDSONIdsat西塞CRSS科斯参数漏极耐压零偏置漏电流栅极漏电流栅极偏置的漏电流正向跨导饱和电阻饱和电流共源输入电容共源反馈电容共源输出电容11.60.7011.0066.08.040.0民652.017典型值单位VmAuAV姆欧欧姆AMPpFpFpF测试条件IDS = 100 mA时， VGS = 0VVDS = 28.00 V， VGS = 0VVDS = 0V VGS = 30VIDS = 0.20 A， VGS = Vds的VDS = 10V ， VGS = 5VVGS = 20V ， IDS = 8.00VGS = 20V ， VDS = 10VVDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫